Pengenalan Asas Wafer Silikon SOI

Syarikat itu boleh menyediakan pelanggan dengan pelbagai spesifikasi dan wafer silikon SOI berkualiti tinggi (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator), yang sesuai untuk pelanggan dalam pelbagai aplikasi termasuk MEMS, peranti kuasa, penderia tekanan dan pembuatan litar bersepadu CMOS. Wafer SOI menyediakan penyelesaian yang baik untuk peranti berkelajuan tinggi dan berkuasa rendah, dan dianggap secara meluas sebagai penyelesaian baharu untuk peranti voltan tinggi dan RF. Wafer SOI ialah struktur sandwic seperti sandwic dengan tiga lapisan; termasuk lapisan atas (lapisan peranti), lapisan oksida terkubur tengah (lapisan SiO2 penebat) dan substrat bawah (silikon pukal). Wafer SOI dihasilkan menggunakan kaedah SIMOX dan teknologi ikatan wafer, supaya lapisan peranti yang lebih nipis dan lebih tepat, ketebalan seragam dan ketumpatan kecacatan yang rendah dapat dicapai.